เวเฟอร์โมโนคริสตัลไลน์ชนิด M4 P คือ 161.7 มม. x 161.7 มม.
1 คุณสมบัติของวัสดุ
ทรัพย์สิน | ข้อมูลจำเพาะ | วิธีการตรวจสอบ |
วิธีการเจริญเติบโต | CZ | |
ความเป็นผลึก | ผลึกเดี่ยว | เทคนิคการจำหลักพิเศษ（ASTM F47-88） |
ประเภทการนำไฟฟ้า | P-type | แน็ปสัน EC-80TPN P/N |
สารเจือปน | โบรอนแกลเลียม | - |
ความเข้มข้นของออกซิเจน[Oi] | ≦8E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
ความเข้มข้นของคาร์บอน[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
ความหนาแน่นของหลุมกัด (ความหนาแน่นของการเคลื่อนที่) | ≦500 ซม.-3 | เทคนิคการจำหลักพิเศษ（ASTM F47-88） |
การวางแนวพื้นผิว | & lt;100>±3° | วิธีการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ (ASTM F26-1987) |
การวางแนวของด้านสี่เหลี่ยมเทียม | & lt;010>,<001>±3° | วิธีการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ (ASTM F26-1987) |
2 คุณสมบัติทางไฟฟ้า
ทรัพย์สิน | ข้อมูลจำเพาะ | วิธีการตรวจสอบ |
ความต้านทาน | 0.5-1.5 Ωcm | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
MCLT (อายุการใช้งานของผู้ให้บริการรายย่อย) | ≧50 μs | ซินตัน BCT-400 (ด้วยระดับการฉีด: 1E15 ซม-3) |
3เรขาคณิต
ทรัพย์สิน | ข้อมูลจำเพาะ | วิธีการตรวจสอบ |
เรขาคณิต | สี่เหลี่ยมจตุรัส | |
ความยาวด้านเวเฟอร์ | 161.7±0.25 มม. | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
เส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์ | φ221±0.25 มม. | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
มุมระหว่างด้านที่อยู่ติดกัน | 90° ± 0.2° | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
ความหนา | 180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
TTV (รูปแบบความหนารวม) | ≤27 µm | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
4 คุณสมบัติพื้นผิว
ทรัพย์สิน | ข้อมูลจำเพาะ | วิธีการตรวจสอบ |
วิธีการตัด | DW | -- |
คุณภาพพื้นผิว | เมื่อตัดและทำความสะอาดแล้ว ไม่มีการปนเปื้อนที่มองเห็นได้ (ไม่อนุญาตให้ใช้คราบน้ำมันหรือจารบี รอยนิ้วมือ คราบสบู่ คราบของเหลว คราบอีพ็อกซี่/คราบกาว) | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
รอยเลื่อย/ขั้นบันได | ≤ 15µm | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
คันธนู | ≤ 40 µm | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
วาร์ป | ≤ 40 µm | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
ชิป | ความลึก ≤0.3มม. และความยาว ≤ 0.5มม. สูงสุด 2 ชิ้น/ชิ้น; ไม่มีชิปวี | ตาเปล่าหรือระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
รอยแตกขนาดเล็ก / รู | ไม่ได้รับอนุญาต | ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
ป้ายกำกับยอดนิยม: p ชนิด 161.7 มม. monocrystalline พลังงานแสงอาทิตย์เวเฟอร์ จีน ซัพพลายเออร์ ผู้ผลิต โรง งาน ทำในประเทศจีน
