P Type M12 แผ่นเวเฟอร์พลังงานแสงอาทิตย์ชนิดโมโนคริสตัลไลน์

วิธีการเจริญเติบโต

CZ

ความเป็นผลึก

ผลึกเดี่ยว

เทคนิคการจำหลักพิเศษ（ASTM F47-88）

ประเภทการนำไฟฟ้า

P-type

แน็ปสัน EC-80TPN

P/N

สารเจือปน

โบรอนแกลเลียม

-

ความเข้มข้นของออกซิเจน[Oi]

≦8E+17 at/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

ความเข้มข้นของคาร์บอน[Cs]

≦5E+16 at/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

ความหนาแน่นของหลุมกัด (ความหนาแน่นของการเคลื่อนที่)

≦500 ซม.^-3

เทคนิคการจำหลักพิเศษ（ASTM F47-88）

การวางแนวพื้นผิว

& lt;100>±3°

วิธีการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ (ASTM F26-1987)

การวางแนวของด้านสี่เหลี่ยมเทียม

& lt;010>,<001>±3°

วิธีการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ (ASTM F26-1987)

ความต้านทาน

0.5-1.5 Ωcm

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

MCLT (อายุการใช้งานของผู้ให้บริการรายย่อย)

≧50 μs

ซินตัน BCT-400

(ด้วยระดับการฉีด: 1E15 ซม^-3)

เรขาคณิต

สี่เหลี่ยมเต็ม Full

ความยาวด้านเวเฟอร์

210±0.25 มม.

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

เส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์

φ295±0.25 มม.

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

มุมระหว่างด้านที่อยู่ติดกัน

90° ± 0.2°

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

ความหนา

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (รูปแบบความหนารวม)

≤27 µm

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

วิธีการตัด

DW

--

คุณภาพพื้นผิว

เมื่อตัดและทำความสะอาดแล้ว ไม่มีการปนเปื้อนที่มองเห็นได้ (ไม่อนุญาตให้ใช้คราบน้ำมันหรือจารบี รอยนิ้วมือ คราบสบู่ คราบของเหลว คราบอีพ็อกซี่/คราบกาว)

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

รอยเลื่อย/ขั้นบันได

≤ 15µm

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

คันธนู

≤ 40 µm

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

วาร์ป

≤ 40 µm

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

ชิป

ความลึก ≤0.3มม. และความยาว ≤ 0.5มม. สูงสุด 2 ชิ้น/ชิ้น; ไม่มีชิปวี

ตาเปล่าหรือระบบตรวจสอบเวเฟอร์

รอยแตกขนาดเล็ก / รู

ไม่ได้รับอนุญาต

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์