ชนิด N 156.75 มม. เวเฟอร์พลังงานแสงอาทิตย์ Monocrystalline

ชนิด N 156.75 มม. เวเฟอร์พลังงานแสงอาทิตย์ Monocrystalline

ความจริงที่ว่าเทคโนโลยีเซลล์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดในการผลิตอุตสาหกรรมจะขึ้นอยู่กับเวเฟอร์ Cz-Si ชนิด n เป็นการสาธิตที่โดดเด่นว่าทําไมเวเฟอร์ชนิด n เป็นวัสดุที่เหมาะสมที่สุดสําหรับเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพสูง เมื่อเข้าสู่รายละเอียดเพิ่มเติมมีเหตุผลทางกายภาพบางประการสําหรับความเหนือกว่าของประเภท n กับประเภท p
Share to
ส่งคำถาม
คำอธิบาย
พารามิเตอร์ทางเทคนิค

CZ silicon crystal growth


Monocrystalline wafer 1


ความจริงที่ว่าเทคโนโลยีเซลล์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดในการผลิตอุตสาหกรรมจะขึ้นอยู่กับเวเฟอร์ N ประเภท Cz-Si เป็นการสาธิตที่โดดเด่นว่าทําไมเวเฟอร์ชนิด n เป็นวัสดุที่เหมาะสมที่สุดสําหรับเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพสูง หากต้องการดูรายละเอียดเพิ่มเติมมีเหตุผลทางกายภาพบางประการสําหรับความเหนือกว่าของประเภท N กับประเภท P สิ่งที่สําคัญที่สุดคือ:

  • เนื่องจากไม่มีโบรอนจึงไม่มีการเสื่อมสภาพของแสง (LID) เกิดขึ้นใน p-type Si wafers เนื่องจากคอมเพล็กซ์โบรอนออกซิเจน

  • เนื่องจาก N type Si มีความไวต่อสิ่งสกปรกโลหะที่โดดเด่นน้อยกว่าโดยทั่วไปความยาวการกระจายตัวของผู้ให้บริการส่วนน้อยใน Cz-Si ชนิด N จะสูงกว่าอย่างมีนัยสําคัญเมื่อเทียบกับ P-type Cz-Si

  • N type Si มีแนวโน้มที่จะเสื่อมสภาพน้อยลงในระหว่างกระบวนการที่อุณหภูมิสูงเช่น B-diffusion

 

 

1      คุณสมบัติของวัสดุ

 

ทรัพย์สิน

สเปค

วิธีการตรวจสอบ

วิธีการเจริญเติบโต

CZ ประมาณว่าด้วยไซท์


ความเป็นผลึก

โมโนคริสตัลไลน์

เทคนิคการแกะสลักพิเศษ(ASTM   F47-88)

ประเภทการนําไฟฟ้า

ชนิด N

แนปสัน EC-80TPN

โดปอนันต์

ฟอสฟอรัส

-

ความเข้มข้นของออกซิเจน[Oi]

≦8e+17ที่/ซม3

FTIR (ASTM F121-83)

ความเข้มข้นของคาร์บอน[Cs]

≦5e+16ที่/ซม3

FTIR (ASTM F123-91)

ความหนาแน่นของหลุมแกะสลัก (ความหนาแน่นคลาดเคลื่อน)

≦500 ซม.-3

เทคนิคการแกะสลักพิเศษ(ASTM   F47-88)

การวางแนวพื้นผิว

<100>±3°

วิธีการกระจายรังสีเอกซ์ (ASTM F26-1987)

การวางแนวของสี่เหลี่ยมด้านหลอก

<010>,<001>±3°

วิธีการกระจายรังสีเอกซ์ (ASTM F26-1987)

 

2      คุณสมบัติทางไฟฟ้า

 

ทรัพย์สิน

สเปค

วิธีการตรวจสอบ

ความต้านทาน

0.2-2.0 Ω.cm

0.5-3.5 Ω.ซม.

1.0-7.0 Ω.ซม.

1.5-12 Ω.ซม.

ความต้านทานอื่น ๆ

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

MCLT (อายุการใช้งานของผู้ให้บริการส่วนน้อย)

≧1000μs (ความต้านทาน> 1Ωซม.)
 
≧500μs (ความต้านทาน< 1="">Ωซม.)

ซินตันชั่วคราว

 

3      เรขาคณิต

 

ทรัพย์สิน

สเปค

วิธีการตรวจสอบ

เรขาคณิต

สี่เหลี่ยมหลอก


รูปร่างขอบยกนูน

กลม


ขนาดเวเฟอร์

(ความยาวด้านข้าง*ความยาวด้านข้าง * เส้นผ่านศูนย์กลาง

M0: 156 * 156 *φขนาด 210 มม.

M1: 156.75* 156.75 *φขนาด 205 มม.

M2: 156.75* 156.75 *φขนาด 210 มม.

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์

มุมระหว่างด้านที่อยู่ติดกัน

90±3 °

ระบบตรวจสอบเวเฟอร์


image




ป้ายกำกับยอดนิยม: Nประเภท156.75mm monocrystallineเวเฟอร์พลังงานแสงอาทิตย์, ประเทศจีน, ซัพพลายเออร์, ผู้ผลิต, โรงงาน, ที่ทําในประเทศจีน

ส่งคำถาม
ส่งคำถาม