-
![4H P-พิมพ์เวเฟอร์ SiC]()
4H P-พิมพ์เวเฟอร์ SiCวัสดุพิมพ์ SiC ชนิด P- ได้รับการออกแบบมาเพื่อการเติบโตแบบโฮโมอีพิแทกเซียลและการพัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแรงสูง-สูงพิเศษ- ด้วยคุณลักษณะทางไฟฟ้าและความร้อนที่ยอดเยี่ยม สารตั้งต้น SiC- -
![4H กึ่ง-ฉนวน SiC เวเฟอร์]()
4H กึ่ง-ฉนวน SiC เวเฟอร์วัสดุพิมพ์ SiC กึ่งฉนวน-มีความต้านทานสูงและคุณสมบัติทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ทำให้เหมาะสำหรับการเติบโตแบบเฮเทอโรอิพิแทกเซียล GaN และการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ RF ความถี่สูง- ในฐานะซับสเตรต SiC -
![4H N-พิมพ์พื้นผิว SiC]()
4H N-พิมพ์พื้นผิว SiCพื้นผิว SiC ชนิด N- ได้รับการออกแบบมาเพื่อการเติบโตแบบโฮโมอีพิแอกเซียลในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์กำลังขั้นสูง ด้วยประสิทธิภาพทางไฟฟ้าและความร้อนที่เหนือกว่า สารตั้งต้น SiC
