ข้อกำหนดนี้กำหนดเวเฟอร์ซิลิกอนแบบ monocrystalline (ขนาด M10) สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ขั้นสูง ผลิตผ่านวิธี Czochralski ที่มีฟอสฟอรัสยาสลบเวเฟอร์มีความเข้มข้นของออกซิเจนต่ำ (สูงสุด 8E17 ที่/cm³) ความเข้มข้นของคาร์บอนต่ำ (สูงถึง 5E16 ที่/cm³)<100>.
คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่สำคัญรวมถึงช่วงความต้านทาน 1.0 ถึง 7.0 Ω.cmและอายุการใช้งานของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยสูง (ขั้นต่ำ 1,000 μs)
เวเฟอร์มีรูปทรงเรขาคณิตหลอกแบบหลอกที่มีความยาวด้านข้าง 182 มม. (ความอดทน 0.25 มม.) เส้นผ่านศูนย์กลาง 247 มม. (ความอดทน 0.25 มม.) และด้านที่อยู่ติดกันที่ 90 องศา (ความอดทน 0.2 องศา) มีให้ความหนาตั้งแต่ 150 ถึง 180 μm (ด้วยความคลาดเคลื่อน) พวกเขามั่นใจได้ว่าการเปลี่ยนแปลงความหนาน้อยที่สุด (TTV สูงสุด 27 μm) คุณภาพพื้นผิวถูกควบคุมอย่างเคร่งครัด ("เป็นการตัดและทำความสะอาด") ห้ามการปนเปื้อนและรอยแตกขนาดเล็กโดยมีข้อ จำกัด บนเครื่องหมายเลื่อย (สูงสุด 15 ไมครอน) ธนูและวาร์ป (สูงสุด 40 ไมครอนแต่ละอัน) รูปแบบขนาดใหญ่นี้รองรับการเปลี่ยนแปลงของอุตสาหกรรมไปสู่การจับแสงที่ดีที่สุด
1. คุณสมบัติของวัสดุ
|
คุณสมบัติ |
ข้อมูลจำเพาะ |
วิธีการตรวจสอบ |
|
วิธีการเจริญเติบโต |
CZ |
|
|
ความเป็นผลึก |
Monocrystalline |
เทคนิคการกัดพิเศษ(ASTM F47-88) |
|
ประเภทการนำไฟฟ้า |
n-type |
Napson EC-80TPN |
|
เจือปน |
ฟอสฟอรัส |
- |
|
ความเข้มข้นของออกซิเจน [OI] |
น้อยกว่าหรือเท่ากับ8e +17 at/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
ความเข้มข้นของคาร์บอน [CS] |
น้อยกว่าหรือเท่ากับ5e +16 at/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
ความหนาแน่นของหลุม Etch (ความหนาแน่นของความคลาดเคลื่อน) |
น้อยกว่าหรือเท่ากับ500 ซม.-2 |
เทคนิคการกัดพิเศษ(ASTM F47-88) |
|
การวางแนวพื้นผิว |
<100>± 3 องศา |
วิธีการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ (ASTM F26-1987) |
|
การปฐมนิเทศของสี่เหลี่ยมหลอก |
<010>,<001>± 3 องศา |
วิธีการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ (ASTM F26-1987) |
2. คุณสมบัติทางไฟฟ้า
|
คุณสมบัติ |
ข้อมูลจำเพาะ |
วิธีการตรวจสอบ |
|
ความต้านทาน |
1.0-7.0 Ω.cm
|
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
MCLT (อายุการใช้งานของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อย) |
มากกว่าหรือเท่ากับ 1,000 µ |
Sinton BCT-400
ชั่วคราว
(ด้วยระดับการฉีด: 5E14 ซม.-3)
|
3. Geometry
|
คุณสมบัติ |
ข้อมูลจำเพาะ |
วิธีการตรวจสอบ |
|
เรขาคณิต |
จัตุรัสเทียม |
|
|
รูปร่างขอบ
|
กลม | |
|
ความยาวด้านเวเฟอร์ |
182 ± 0.25 มม.
|
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
เส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์ |
φ247± 0.25 มม. |
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
มุมระหว่างด้านที่อยู่ติดกัน |
90 องศา± 0.2 องศา |
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
ความหนา |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
|
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
TTV (การแปรผันของความหนารวม) |
น้อยกว่าหรือเท่ากับ 27 µm |
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
4.คุณสมบัติพื้นผิว
|
คุณสมบัติ |
ข้อมูลจำเพาะ |
วิธีการตรวจสอบ |
|
วิธีการตัด |
DW |
-- |
|
คุณภาพพื้นผิว |
เมื่อตัดและทำความสะอาดไม่มีการปนเปื้อนที่มองเห็นได้ (น้ำมันหรือไขมัน, พิมพ์นิ้ว, คราบสบู่, คราบสารละลาย, คราบอีพ็อกซี่/กาวไม่ได้รับอนุญาต) |
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
เห็นเครื่องหมาย / ขั้นตอน |
น้อยกว่าหรือเท่ากับ 15µm |
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
โค้งคำนับ |
น้อยกว่าหรือเท่ากับ 40 µm |
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
งอ |
น้อยกว่าหรือเท่ากับ 40 µm |
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
ชิป |
ความลึกน้อยกว่าหรือเท่ากับ 0.3 มม. และความยาวน้อยกว่าหรือเท่ากับ 0.5 มม. สูงสุด 2/พีซี ไม่มีชิป V |
ตาเปล่าหรือระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
|
รอยแตกขนาดเล็ก / หลุม |
ไม่ได้รับอนุญาต |
ระบบตรวจสอบเวเฟอร์ |
ป้ายกำกับยอดนิยม: N-type M10 monocrystalline silicon wafer specification, จีน, ซัพพลายเออร์, ผู้ผลิต, โรงงานผลิตในประเทศจีน
