เทคโนโลยีสามระดับ-ของอินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์

อินเวอร์เตอร์มีบทบาทสำคัญในระบบผลิตไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ โดยแปลงไฟฟ้ากระแสตรง (DC) ที่สร้างโดยแผงเซลล์แสงอาทิตย์ให้เป็นไฟฟ้ากระแสสลับ (AC) เหมาะสำหรับการเชื่อมต่อโครงข่ายหรือการใช้โหลด การพัฒนาเทคโนโลยีอินเวอร์เตอร์ได้รับการพัฒนาอย่างต่อเนื่องเพื่อตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพที่สูงขึ้น คุณภาพไฟฟ้าที่ดีขึ้น และต้นทุนที่ต่ำลง เทคโนโลยีอินเวอร์เตอร์สามระดับ - เป็นหนึ่งในความก้าวหน้าที่สำคัญในสาขานี้

แนวคิดระดับในอินเวอร์เตอร์หมายถึงระดับแรงดันไฟฟ้าที่ใช้สำหรับการส่งสัญญาณหรือการแปลงพลังงาน อินเวอร์เตอร์ระดับ - สองระดับมีระดับแรงดันไฟฟ้าเพียงสองระดับ คือ สูงและต่ำ ซึ่งมีการออกแบบที่เรียบง่ายและเหมาะสำหรับการใช้งานที่มีต้นทุนต่ำ - อย่างไรก็ตาม อินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัวแนะนำแรงดันไฟฟ้าในช่วงกลาง - จุด โดยมีระดับแรงดันไฟฟ้าสามระดับ ซึ่งช่วยให้สามารถควบคุมแรงดันไฟฟ้าได้ละเอียดยิ่งขึ้น และมีข้อได้เปรียบที่สำคัญหลายประการที่ระดับระบบ¹.

1.ความหมายของเทคโนโลยีสามระดับ-

ในช่วงทศวรรษ 1980 นักวิชาการชาวญี่ปุ่น Nabae ได้เสนอวงจรอินเวอร์เตอร์ระดับสาม-โดยใช้แคลมป์ปิ้งของไดโอด โครงสร้างทอพอโลยีทั่วไปแสดงในรูปต่อไปนี้ แขนบริดจ์แต่ละอันของวงจรอินเวอร์เตอร์ทั้งหมดประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกทหุ้มฉนวน (IGBT) 4 ตัว และไดโอด 6 ตัว

แม้ว่าวงจรสาม-ระดับจะค่อนข้างซับซ้อนกว่าในด้านโทโพโลยี เมื่อเปรียบเทียบกับวงจรอินเวอร์เตอร์ระดับสอง-แบบเดิมซึ่งสามารถส่งออกเฉพาะระดับสูงและต่ำเท่านั้น วงจรอินเวอร์เตอร์แบบใหม่นี้สามารถส่งออกระดับสูงและต่ำผ่าน-การเปิดของท่อบนและล่าง และส่งออกระดับศูนย์ผ่านเอฟเฟกต์การหนีบของไดโอดตัวกลาง รวมเป็นสามสถานะระดับ ดังนั้นจึงเรียกว่าวงจรอินเวอร์เตอร์สาม-ระดับ

นำการเปลี่ยนแปลงที่อาจเกิดขึ้นที่จุดกึ่งกลางของแขนบริดจ์อินเวอร์เตอร์ของเฟส A ในรูปต่อไปนี้เป็นตัวอย่างเพื่ออธิบายความหมายเฉพาะของทั้งสามระดับโดยย่อ

• เมื่อ IGBT สองตัวบนแขนบริดจ์เฟส A- กำลังดำเนินการ ความต่างศักย์ที่จุด A จะเหมือนกับของบัสบวก ซึ่งก็คือ U/2 แรงดันไฟฟ้าของแพลตฟอร์มความเครียดที่แต่ละ IGBT รับคือ U/2 ดังแสดงในวงที่ 1

• เมื่อ IGBT สองตัวของแขนบริดจ์ส่วนล่างของแขนสะพานเฟส A- กำลังดำเนินการ ศักยภาพที่จุด A จะเหมือนกับศักย์บัสเชิงลบ ซึ่งก็คือ -U/2 และแรงดันไฟฟ้าของแพลตฟอร์มความเครียดที่แต่ละ IGBT ทนคือ U/2 ดังที่แสดงในลูป 2

• เมื่อ IGBT ที่สองบนแขนบริดจ์เฟส A- และไดโอดแคลมป์บายพาสกำลังดำเนินการ สะพานอินเวอร์เตอร์เฟส A- จะอยู่ในสถานะอิสระแบบ A และศักยภาพที่จุด A จะเหมือนกับที่จุดกึ่งกลางของบัส ซึ่งเป็น 0 ดังแสดงในวงที่ 3

จากวงจรนำไฟฟ้าทั้งสามวงจรของเฟส A ที่อธิบายไว้ข้างต้น สามารถทราบได้ว่าศักย์ไฟฟ้าที่จุด A สามารถแสดงได้สามระดับ: U/2, 0 และ -U/2 ดังนั้นจึงเรียกว่าสถานะระดับสาม-².

2.โทโพโลยีระดับสาม - ทั่วไป

2.1NPC1 โทโพโลยี

โทโพโลยี NPC1 (Neutral - Point - Clamped) เป็นหนึ่งในโทโพโลยีระดับ - ที่คลาสสิกที่สุด มันเพิ่มประสิทธิภาพการกระจายการสูญเสียและปรับปรุง EMI โดยการปรับเส้นทางปัจจุบันให้เหมาะสมและกลไกการแปลงระดับ - เป็นศูนย์

ภายใต้สภาวะของอินเวอร์เตอร์ การสูญเสียของ NPC1 ส่วนใหญ่จะกระจุกตัวอยู่ในหลอด T1/T4 รวมถึงการสูญเสียการนำไฟฟ้าและการสูญเสียการสวิตชิ่ง T2/T3 อยู่ในสถานะเปิดตามปกติ และการสูญเสียส่วนใหญ่เป็นการสูญเสียการนำไฟฟ้า D5/D6 ดำเนินการในระหว่างการสลับ และการสูญเสียรวมถึงการสูญเสียการนำไฟฟ้าและการสูญเสียการกู้คืนแบบย้อนกลับ

ภายใต้เงื่อนไขการแก้ไข การสูญเสียส่วนใหญ่จะกระจุกตัวอยู่ในหลอด D1/D4 และหลอด T2/T3 หลอด D1/D4 มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าและการสูญเสียการกู้คืนแบบย้อนกลับ ในขณะที่หลอด T2/T3 สร้างการสูญเสียการนำไฟฟ้าและการสูญเสียการสลับระหว่างการเปลี่ยน ในทางตรงกันข้าม หลอด D2/D3 และ D5/D6 มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าเท่านั้น

2.2 โทโพโลยี NPC2

โทโพโลยี NPC2 เป็นการปรับปรุงตามโทโพโลยี NPC1 ใน NPC2 มีการใช้ IGBT คู่หนึ่งที่มีตัวปล่อยหรือตัวสะสมทั่วไปและไดโอดแบบขนานแบบต้าน - ถูกนำมาใช้เพื่อแทนที่ไดโอดแบบหนีบใน NPC1 ซึ่งจะลดจำนวนไดโอดลงสองเท่า ใน NPC2 หลอด T1/T4 รับแรงดันบัสเต็ม และหลอด T2/T3 รับแรงดันบัสครึ่งหนึ่ง

ในสภาวะของอินเวอร์เตอร์ ในครึ่งบวก - รอบ T2 ยังคงเปิดอยู่ตามปกติ และ T1 และ D3 สับเปลี่ยน ในช่วงครึ่งลบ - รอบ T3 ยังคงเปิดตามปกติ และ T4 และ D2 สับเปลี่ยน

ในสภาวะการแก้ไข กระบวนการสับเปลี่ยนจะคล้ายกับของ NPC1 แต่เนื่องจากโครงสร้างของชิ้นส่วนแคลมป์ที่แตกต่างกัน การกระจายการสูญเสียจึงแตกต่างจากของ NPC1 โดยทั่วไป ในช่วงความถี่การสลับ - ปานกลาง - และ - ต่ำ การสูญเสียทั้งหมดของโทโพโลยี NPC2 จะต่ำกว่าโทโพโลยี NPC1

2.3โทโพโลยี ANPC

โทโพโลยี ANPC (Active Neutral - Point - Clamped) ถูกสร้างขึ้นโดยการแทนที่ไดโอดแบบหนีบใน NPC1 ด้วย IGBT และไดโอดแบบขนานที่ต่อต้าน - โดยจะขยายเส้นทางการสับเปลี่ยนระดับศูนย์ - สองเส้นทาง และด้วยการเลือกและการควบคุมเส้นทางการสับเปลี่ยนระดับศูนย์ - ทำให้สามารถกระจายการสูญเสียที่สมดุลมากขึ้น และการเหนี่ยวนำการหลงทางของลูปสับเปลี่ยนที่เล็กลงสามารถทำได้³.

3.วิธีการควบคุมอินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัว

3.1 การควบคุมแรงดันไฟฟ้า

3.1.1DC - การควบคุมแรงดันไฟฟ้าด้านข้าง

ในระบบผลิตไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ จำเป็นต้องรักษาเสถียรภาพของแรงดันไฟฟ้าด้านข้าง DC - ของอินเวอร์เตอร์ แรงดันไฟฟ้าด้านข้าง DC - ส่วนใหญ่มาจากแผงเซลล์แสงอาทิตย์ เนื่องจากอิทธิพลของปัจจัยต่างๆ เช่น ความเข้มของแสงและอุณหภูมิ แรงดันเอาต์พุตของแผงเซลล์แสงอาทิตย์จึงผันผวน ดังนั้นจึงจำเป็นต้องมีกลยุทธ์การควบคุมแรงดันไฟฟ้าด้านข้าง DC - วิธีการที่ใช้กันทั่วไป ได้แก่ การใช้บูสต์คอนเวอร์เตอร์หรือบูสต์คอนเวอร์เตอร์ - ที่ด้านหน้าอินเวอร์เตอร์เพื่อปรับแรงดันไฟฟ้าด้านข้าง DC - ให้เป็นค่าที่เสถียร ตัวอย่างเช่น เมื่อแรงดันเอาต์พุตของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ต่ำกว่าค่าที่ต้องการ บูสต์คอนเวอร์เตอร์สามารถเพิ่มแรงดันไฟฟ้าได้ เมื่อสูงขึ้น บูสต์คอนเวอร์เตอร์ - จะสามารถปรับแรงดันไฟฟ้าให้อยู่ในระดับที่เหมาะสมได้

3.1.2กลาง - การควบคุมศักยภาพของจุด

ในอินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัว จุดกลาง - จุดที่อาจเกิดความผันผวนเป็นปัญหาที่พบบ่อย โดยเฉพาะอย่างยิ่งในโทโพโลยีประเภท NPC - ความผันผวนที่อาจเกิดขึ้นในช่วงกลาง - จะส่งผลต่อคุณภาพของรูปคลื่นของแรงดันไฟฟ้าเอาท์พุตและความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์ มีหลายวิธีในการควบคุมศักยภาพของจุดกึ่งกลาง - วิธีหนึ่งคือการเพิ่มส่วนประกอบโหมด - ทั่วไปให้กับสัญญาณมอดูเลชั่น ตัวอย่างเช่น ในวิธีการมอดูเลตความกว้าง (SPWM) ของพัลส์ไซน์ซอยด์ แรงดันไฟฟ้าโหมด - ทั่วไปบางอย่างจะถูกเพิ่มไปยังแรงดันอ้างอิงเพื่อปรับเวลาในการชาร์จและการคายประจุของตัวเก็บประจุจุดกลาง - เพื่อรักษาความเสถียรของศักย์ไฟฟ้าจุดกลาง - อีกวิธีหนึ่งคือการใช้ระบบควบคุมป้อนกลับเพื่อตรวจจับศักย์ไฟฟ้าจุดกึ่งกลาง - และปรับสถานะการสลับของอินเวอร์เตอร์ตามค่าเบี่ยงเบนเพื่อให้ได้สมดุลศักย์ไฟฟ้าจุดกลาง -⁴.

3.2การควบคุมปัจจุบัน

3.2.1Grid - เชื่อมต่อการควบคุมปัจจุบัน

สำหรับอินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ที่เชื่อมต่อกับกริด - จำเป็นต้องตรวจสอบให้แน่ใจว่ากระแสเอาท์พุตอยู่ในความถี่และเฟสเดียวกันกับแรงดันไฟฟ้าของกริด สิ่งนี้สามารถทำได้ผ่านกริด - ที่เชื่อมโยงกลยุทธ์การควบคุมปัจจุบัน วิธีการทั่วไปคือการใช้เฟส - ล็อกลูป (PLL) เพื่อซิงโครไนซ์กระแสเอาต์พุตกับแรงดันไฟฟ้าของกริด PLL สามารถติดตามความถี่และเฟสของแรงดันไฟฟ้ากริดได้อย่างรวดเร็วและแม่นยำ ขึ้นอยู่กับเอาท์พุตของ PLL ตัวควบคุมปัจจุบันได้รับการออกแบบ เช่น ตัวควบคุมอินทิกรัล (PI) ตามสัดส่วน - หรือตัวควบคุมเรโซแนนซ์ (PR) ตามสัดส่วน - ตัวควบคุมกระแสไฟฟ้าจะปรับแรงดันไฟฟ้าเอาท์พุตของอินเวอร์เตอร์ตามค่าเบี่ยงเบนระหว่างกระแสอ้างอิงและกระแสเอาท์พุตจริงเพื่อให้แน่ใจว่ากระแสเอาท์พุตตรงตามข้อกำหนดการเชื่อมต่อกริด -

3.2.2การควบคุมฮาร์มอนิกกระแสเอาต์พุต

นอกจากเพื่อให้แน่ใจว่าความถี่และเฟสเดียวกันกับแรงดันไฟฟ้าของกริดแล้ว ยังจำเป็นต้องควบคุมเนื้อหาฮาร์มอนิกของกระแสไฟขาออกด้วย ตามที่กล่าวไว้ข้างต้น อินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัวมีปริมาณฮาร์มอนิกกระแสเอาท์พุตต่ำกว่าอินเวอร์เตอร์ระดับ - สองตัว แต่ในสถานการณ์การใช้งานที่มีความแม่นยำสูง - บางสถานการณ์ ยังคงจำเป็นต้องมีการควบคุมฮาร์มอนิกเพิ่มเติม ซึ่งสามารถทำได้โดยการปรับกลยุทธ์การปรับให้เหมาะสม ตัวอย่างเช่น การใช้สเปซ - เวกเตอร์พัลส์ - การมอดูเลตความกว้าง (SVPWM) แทน SPWM แบบเดิมสามารถลดเนื้อหาฮาร์มอนิกของกระแสเอาต์พุตได้ นอกจากนี้ อัลกอริธึมการควบคุมขั้นสูงบางอย่าง เช่น การควบคุมการส่งต่อฮาร์มอนิก - และการควบคุมการชดเชยฮาร์มอนิกหลาย - ยังสามารถใช้เพื่อลดปริมาณฮาร์มอนิกของกระแสเอาต์พุตเพิ่มเติมได้อีก⁵.

4.ข้อดีของอินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัวเมื่อเปรียบเทียบกับอินเวอร์เตอร์ระดับ - สองตัว

4.1 รูปคลื่นแรงดันไฟฟ้าเอาท์พุต

เอาท์พุตรูปคลื่นแรงดันไฟฟ้าโดยวงจรอินเวอร์เตอร์สอง-ระดับ:

รูปคลื่นแรงดันไฟฟ้าที่ส่งออกโดยวงจรอินเวอร์เตอร์สาม-ระดับ:

หลักการพื้นฐานของอินเวอร์เตอร์สาม-ระดับคือการใช้หลายระดับในการสังเคราะห์สเต็ปเวฟเพื่อประมาณแรงดันเอาต์พุตไซน์ซอยด์ เนื่องจากมีระดับเอาต์พุตเพิ่มเติมเมื่อเปรียบเทียบกับอินเวอร์เตอร์ระดับ 2- คลื่น PWM ที่เอาต์พุตจะใกล้เคียงกับรูปคลื่นไซน์ซอยด์มากกว่า ตัวเลขสองตัวข้างต้นเป็นการเปรียบเทียบเอาต์พุตรูปคลื่น PWM โดยอินเวอร์เตอร์ระดับ-และสาม- สามารถแยกแยะได้โดยสัญชาตญาณว่าเอาต์พุตรูปคลื่น PWM โดยอินเวอร์เตอร์สาม-ระดับนั้นอยู่ใกล้กับไซน์มากกว่าและมีเนื้อหากระเพื่อมน้อยกว่า⁶.

4.2 การสูญเสียการสับเปลี่ยน

ในวงจรอินเวอร์เตอร์สาม-ระดับ แรงดันไฟฟ้าบัส DC U จะถูกแบ่งใช้โดย IGBT สองตัว แรงดันไฟฟ้าที่รับโดย IGBT แต่ละตัวบนแขนบริดจ์คือครึ่งหนึ่งของแรงดันไฟฟ้าอินพุตที่ฝั่ง DC, U/2 ในวงจรอินเวอร์เตอร์ระดับสอง- มี IGBT เพียงตัวเดียวเท่านั้นที่รับแรงดันไฟฟ้า DC บัส และแรงดันไฟฟ้าที่ IGBT แต่ละตัวรับบนแขนบริดจ์จะเป็นแรงดันไฟฟ้าอินพุตโดยตรงที่ฝั่ง DC นั่นคือ U ดังนั้นในวงจรอินเวอร์เตอร์สาม-ระดับ IGBT รับแรงดันไฟฟ้าครึ่งหนึ่งของทั้งสอง-ระดับหนึ่งที่จุดเริ่มต้นของการนำและสิ้นสุด-การปิด สิ่งนี้จะกำหนดว่าการสูญเสียการสลับของ IGBT สาม-ระดับนั้นน้อยกว่าการสูญเสียของทั้งสอง-ระดับหนึ่งมาก⁷.

4.3 ความถี่สูง

IGBT แรงดันไฟฟ้าสูง-ได้รับผลกระทบจากระดับแรงดันไฟฟ้าของแอปพลิเคชัน ซึ่งกำหนดว่าความถี่ในการสลับและความเร็วในการเปลี่ยนนั้นน้อยกว่าความถี่ของ IGBT แรงดันไฟฟ้าต่ำ-มาก อย่างไรก็ตาม ระบบสาม-ระดับช่วยให้สามารถใช้งานความถี่สูง-ของ IGBT แรงดันไฟฟ้าต่ำ-ได้ เมื่อเปรียบเทียบกับตัวกรองกำลังแบบแอคทีฟ ระดับความถี่การสลับจะสะท้อนโดยตรงไม่เพียงแต่ความเร็วของการชดเชย แต่ยังรวมถึงความกว้างของช่วงความถี่การชดเชยที่ทำได้ด้วย ยิ่งย่านความถี่ซึ่งเป็นที่ตั้งของความถี่สวิตชิ่งสูงเท่าใด ยิ่งย่านความถี่การกรองกว้างขึ้นซึ่งตัวกรองสามารถเลือกนำไปใช้ได้ ยิ่งแคบลงเท่านั้น ในทางกลับกัน ยิ่งควรแคบลงเท่านั้น⁸.

4.4 การเปรียบเทียบเชิงปริมาณ

วิวัฒนาการของกลุ่มผลิตภัณฑ์ของ SMA ถือเป็นข้อพิสูจน์ที่ดี

• ผลิตภัณฑ์เทคโนโลยีสอง-: Sunny Tripower Series

• ผลิตภัณฑ์เทคโนโลยีสามระดับ-: Sunny Highpower Series

จากข้อมูลในกราฟทั้งสองข้างต้น จะได้ว่าประสิทธิภาพสูงสุดของผลิตภัณฑ์อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์เทคโนโลยีสองระดับ-คือ 98.1% และประสิทธิภาพในยุโรปคือ 97.8% ประสิทธิภาพสูงสุดของผลิตภัณฑ์อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์เทคโนโลยีสามระดับ-สามารถสูงถึง 99.1% ในขณะที่ในยุโรปสามารถทำได้ถึง 98.8% เมื่อเปรียบเทียบทั้งสองจะพบว่าประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์เทคโนโลยีระดับสาม-เพิ่มขึ้น 1%⁹.

5.แนวโน้มการพัฒนาในอนาคต

5.1 การบูรณาการกับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ใหม่

ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ใหม่ๆ เช่น ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) จึงค่อยๆ ถูกนำไปใช้กับอินเวอร์เตอร์ วัสดุเหล่านี้มีความคล่องตัวของอิเล็กตรอนสูงกว่า แรงดันพังทลายสูงกว่า และมีความต้านทาน - ต่ำกว่าวัสดุซิลิกอนแบบดั้งเดิม การบูรณาการเทคโนโลยีอินเวอร์เตอร์ระดับ - สามระดับเข้ากับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ใหม่สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพของอินเวอร์เตอร์ให้ดียิ่งขึ้นไปอีก ตัวอย่างเช่น การใช้ SiC MOSFET ในอินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัวสามารถลดการสูญเสียการสวิตชิ่งและการสูญเสียการนำไฟฟ้าของอุปกรณ์ ปรับปรุงประสิทธิภาพของอินเวอร์เตอร์ และเพิ่มความถี่ในการสวิตชิ่ง ซึ่งเอื้อต่อการลดขนาดและน้ำหนักของอินเวอร์เตอร์และปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงาน

5.2 การทำให้เป็นอัจฉริยะและการแปลงเป็นดิจิทัล

ในอนาคต อินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัวจะมีความชาญฉลาดและเป็นดิจิทัลมากขึ้น ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์และเทคโนโลยีการควบคุมแบบดิจิทัล อินเวอร์เตอร์จึงสามารถติดตั้งตัวควบคุมและเซ็นเซอร์ดิจิทัลขั้นสูงยิ่งขึ้นได้ ตัวควบคุมดิจิทัลเหล่านี้สามารถใช้อัลกอริธึมการควบคุมที่ซับซ้อนมากขึ้น เช่น การควบคุมแบบปรับตัว การควบคุมแบบคาดการณ์ และการวินิจฉัยข้อบกพร่อง - และการควบคุมการซ่อมแซมตนเอง - เซ็นเซอร์สามารถตรวจสอบสถานะการทำงานของอินเวอร์เตอร์แบบเรียลไทม์ - ได้ เช่น อุณหภูมิ แรงดันไฟฟ้า กระแสไฟฟ้า และสถานะความสมบูรณ์ของอุปกรณ์ ด้วยอัลกอริธึมอัจฉริยะและการตรวจสอบเวลาจริง - อินเวอร์เตอร์สามารถปรับพารามิเตอร์การทำงานตามสถานการณ์จริง ปรับปรุงประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของระบบ และตระหนักถึงการตรวจสอบระยะไกลและการจัดการอัจฉริยะ

5.3 แรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า - และแอปพลิเคชันพลังงานที่สูงกว่า -

เนื่องจากขนาดของการผลิตไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ยังคงขยายตัว ความต้องการเครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าที่มีแรงดันไฟฟ้า - ที่สูงขึ้น และอินเวอร์เตอร์กำลังที่สูงกว่า - ก็เพิ่มขึ้นเช่นกัน เทคโนโลยีอินเวอร์เตอร์สามระดับ - มีศักยภาพที่จะตอบสนองความต้องการนี้ได้ ด้วยการปรับโทโพโลยีและกลยุทธ์การควบคุมของอินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัวให้เหมาะสม และการใช้อุปกรณ์ที่มีพิกัดแรงดันไฟฟ้า - สูง - จะทำให้แรงดันไฟฟ้าเอาท์พุตและกำลังของอินเวอร์เตอร์ระดับ - สามตัวสามารถเพิ่มขึ้นได้อีก สิ่งนี้มีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับโรงไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ขนาดใหญ่ - และระบบส่งกำลัง - แรงดันไฟฟ้า - สูง - สาย - ที่เชื่อมต่อระบบผลิตไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ซึ่งสามารถลดจำนวนอินเวอร์เตอร์ที่ต้องการ ลดความซับซ้อนของโครงสร้างระบบ และลดต้นทุนโดยรวมของระบบ¹⁰.

1. หยู เฉิงจูโอ 2023 การควบคุมอินเวอร์เตอร์ PWM 3 ระดับสำหรับระบบกริด-ที่เชื่อมต่อกับระบบผลิตไฟฟ้าโซลาร์เซลล์
2. Zhihu คำอธิบายถึงความเหนือกว่าของเทคโนโลยีสามระดับ-
3. หลักการวงจรที่ไม่ใช่-เครือข่าย ระดับสาม- และการวิเคราะห์โทโพโลยีวงจรทั่วไป
4. ผู้ชื่นชอบอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ รูปแบบการออกแบบอินเวอร์เตอร์ที่เชื่อมต่อถึง-ประเภทสาม-ตารางไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ระดับ-
5. Tang, Yao, 2023, การออกแบบและการควบคุมอินเวอร์เตอร์ประเภท T-ระดับ T- สามแบบอินเทอร์ลีฟสำหรับการใช้งานที่มีกำลังสูง
6. ผู้ชื่นชอบอิเล็กทรอนิกส์ การเปรียบเทียบข้อดีของระบบสาม-ระดับและสอง-
7. CSDN ความแตกต่างระหว่างระดับสอง-และสาม-
8. Baidu Wenku การเปรียบเทียบระหว่างระดับสอง-กับระดับสาม-
9. SMA ข้อมูลผลิตภัณฑ์จากเว็บไซต์อย่างเป็นทางการของ SMA
10. Qitian Power, อินเวอร์เตอร์โทโพโลยีแบบขนานสาม-ระดับ